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  • ob欧宝娱乐网页:晶体生长的必要条件ob欧宝娱乐网页

    ob欧宝娱乐网页根据晶体生长时体系中存在的——由熔体(m)向晶体(C)自发转变时——两相间自由焓的关系:Gm(T)>Gc(T),即△G=Gc(T)-Gm(T)≈△He-Te△Se-△T△Se=△T△Se<0。结晶时,△Se>
    发布时间:2015-12-09   点击次数:110

  • ob欧宝娱乐网页:单晶材料简介

    单晶材料相对普通的多晶体材料性能特殊,一般采用提拉法制备。单晶材料根据晶体生长法制作分为借由柴克劳司基法又名晶体生长法将复晶晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格结构。浮区法可将低纯度硅晶体提炼成对称的、有规律的、成几何型的单晶晶格
    发布时间:2015-11-25   点击次数:195

  • ob欧宝娱乐网页:晶体定向切割方法单晶定向

    单晶定向各向异性是晶体的本征特性,即晶体在不同方向上具有不同的光学、电学、力学等物理性能,在应用时,根据使用目的不同,须对晶体进行不同的定向切割.例如,要制作性能优异的Si压力传感器,须利用Si单晶在(001)面上
    发布时间:2015-11-20   点击次数:432

  • ob欧宝娱乐网页:ob欧宝娱乐网页粘接装置的制作方法

    ob欧宝娱乐网页背景技术蓝宝石晶体在生产加工过程中,需要对晶体的两端进行切割、打磨,对晶体的侧面进行磨圆,将晶体加工成一个规整的圆柱体。在对晶体的侧面进行磨圆时,要将晶体一端的端面粘接到加工座上,将加工座安装到专用的磨机上,在晶体与加工座
    发布时间:2015-11-19   点击次数:618

  • ob欧宝娱乐网页:防护办理细则介绍单晶材料

      单晶材料X射线探伤机体后,可使组织细胞和体液发生一系列变化,组织中的细胞被电离辐射灭活,从而引起以造血组织损伤为主的放射性损害。放射性损害程度受照射剂量、照射面积和部位、受照个体与组织细胞的放射敏感率以及射线的能量等多种复杂因素的影响。
    发布时间:2015-11-10   点击次数:69

  • ob欧宝娱乐网页:单晶材料关于Mobile devices偏45°晶体角度定向方案

    目的:用泡生法生长的晶体直接在X光下完成晶球C偏M45°定向到晶块C偏M45°定向。晶球C偏M45°晶体定向(以下图片仅供参考)一、使用DX-8BD400AG主机。1、主机可以测量晶体规格:A向高度50
    发布时间:2015-11-10   点击次数:368

  • ob欧宝娱乐网页:关于热交换法(HEM)晶球偏角单晶定向方案

    目的:用热交换法生长的晶体直接在X光下完成晶球C偏M45°定向到晶块C偏M45°定向。1、使用D-8BD400ASG主机。(此设备暂无图片参考)在此仪器上增加一套X射线装置,即此仪器上为两套X射线装置(第二套为固定C向角度)&n
    发布时间:2015-11-10   点击次数:214

  • ob欧宝娱乐网页:X射线衍射仪光散射技术应用ob欧宝娱乐网页

      ob欧宝娱乐网页溶液中的颗粒物质(如生物大分子、高分子聚合物、胶束等),其颗粒大小的变化往往可以反应出某些性质方面的变化。由于光散射实际上是首先通过测量大分子物质的扩散系数,进而推导出其它参数。所以,X射线衍射仪不仅可以用来进行静态测量,
    发布时间:2015-11-10   点击次数:259

  • ob欧宝娱乐网页:单晶材料晶体的定向切割

    1 单晶材料晶体定向切割分析1.1 定向分析目前世界上所用的晶体材料如Si、等单Ge质晶体或GaAs、GaP、InP等化合物半导体晶体都是闪锌矿结构,一般都是沿〈111〉、〈100〉或〈
    发布时间:2015-11-10   点击次数:386

  • ob欧宝娱乐网页:单晶定向切割方法

    单晶定向各向异性是晶体的本征特性,即晶体在不同方向上具有不同的光学、电学、力学等物理性能,在应用时,根据使用目的不同,须对晶体进行不同的定向切割.例如,要制作性能优异的Si压力传感器,须利用Si单晶在(001)面上的
    发布时间:2015-11-10   点击次数:245

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