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  • ob欧宝娱乐网页:ob欧宝娱乐网页喜迎国庆、中秋

    ob欧宝娱乐网页成立于1993年,是一家专注于生产X射线定向仪的专业企业。自公司成立20年以来,为单晶材料生长、加工企业提供了数千台定向仪器,积累了丰富的生产、服务经验。产品出口到台湾、韩国、日本、俄罗斯等地区。在蓝宝石晶体加工行
    发布时间:2020-09-30   点击次数:50

  • ob欧宝娱乐网页:硅单晶定向分析仪会产生辐射吗?

    单晶定向首先,X射线荧光分析仪自身已带有X射线荧光分析仪的屏蔽装置,如防护铅板和铅玻璃,其次,管头有关闸或许防护罩,首要照耀面是密不透风的。至于漏散的有些计量相对于照耀面更。也ǔけ涑。对人体的损害更小了。假如仍是不放心的话,单位有关设备
    发布时间:2020-09-16   点击次数:53

  • ob欧宝娱乐网页:单晶定向在水泥工业生产中起到重要作用

    单晶定向X射线晶体分析仪光谱作为惯例剖析手段,始于20世纪50时代,阅历了50年的开展,现已变成物质组成剖析的办法之一。X射线晶体分析仪是一种先进的仪器剖析办法,近一二十年来,跟着科学技能和计算机技能的开展,这种剖析办法得到日益广泛的运用。
    发布时间:2020-09-03   点击次数:24

  • ob欧宝娱乐网页:ob欧宝娱乐网页的波长有什么特性?

    ob欧宝娱乐网页的发现在人类历史上具有重要的意义,它为自然科学和医学开辟了一条崭新的道路,为此1901年伦琴荣获物理学诺贝尔奖金。它的波长比可见光的波长更短(约在0.001~100nm,医学上应用的X射线波长约在0.001。~0.1nm之间)
    发布时间:2020-08-12   点击次数:52

  • ob欧宝娱乐网页:单晶硅材料点缺陷包括哪些特点

    点缺陷:单晶材料点缺陷包括空位、间隙原子和微缺陷等。空位、间隙原子:点缺陷包括热点缺陷(本征点缺陷)和杂质点缺陷(非本征点缺陷)。1、热点缺陷其中热点缺陷有两种基本形式:弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。单晶中空位和间隙原子在热平衡时的浓度与温度有
    发布时间:2020-07-31   点击次数:142

  • ob欧宝娱乐网页:半导体单晶定向光学法的使用

    目前,半导体的单晶定向研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石,闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异性的特点。在不同的晶轴方向,它们的物理性能,化学性能差别非常大。例如:晶面的
    发布时间:2020-06-12   点击次数:145

  • ob欧宝娱乐网页:单晶定向材料的优点和不足有哪些

    单晶定向材料其优点是:(1)碳化硅单载流子器件漂移区。缱栊。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件的正向损耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。(3)碳化硅有高的热导率,因此碳化硅
    发布时间:2020-05-29   点击次数:189

  • ob欧宝娱乐网页:单晶硅片行业近几年新增产能

    近2-3年,由于单晶Perc电池产业链成熟、技术指标不断超预期所带来的效率和性价比优势,带动电池片厂商纷纷升级和加码单晶Perc产能,包括对原有单晶电池产线的Perc化升级和新增单晶材料Perc电池产能。2017-2018年是原有单晶电池产
    发布时间:2020-05-11   点击次数:148

  • ob欧宝娱乐网页:硅单晶材料多型缺陷有什么影响

    提高硅晶体质量,就意味着必须降低晶体中得缺陷,正如单晶材料设备厂家所说,PVT法生长硅单晶需要控制的工艺参数较多,并且这些参数在生长过程中不断发生变化,所以对晶体中的缺陷控制比较困难。硅单晶的缺陷主要包括微管、多型、位错、层错和小角晶界等。
    发布时间:2020-04-16   点击次数:101

  • ob欧宝娱乐网页:半导体碳化硅单晶高温化学气相沉积法

    通常半导体单晶材料的晶锭生长是采用元素半导体或化合物半导体熔融液中的直拉单晶法或籽晶凝固法。然而由于热动力学原因,固态SiC只有在压强超过1×105atm、温度超过3200℃时才会熔化。目前,晶体生长实验室及工厂所拥有的技术手段还无法达到这
    发布时间:2020-04-04   点击次数:226

  • ob欧宝娱乐网页:碳化硅单晶的结构和性质

    SiC晶体结构具有同质多型的特点,其基本结构是Si-C四面体结构,它是由四个Si原子形成的四面体包围一个碳原子组成,按相同的方式一个Si原子也被四个碳原子的四面体包围,属于密堆积结构。SiC多型晶体的晶格常数a可以看作常数,而晶格常数c不同
    发布时间:2020-03-17   点击次数:129

  • ob欧宝娱乐网页:半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史

    半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史,简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质,对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述,详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。以硅(S
    发布时间:2020-03-04   点击次数:368

  • ob欧宝娱乐网页:单晶定向和切割操作实施办法

    首先对被测晶体进行初步评价,用XRD常规θ/2θ扫描。理想单晶是光斑所照射的块状平面仅出现一种晶面的衍射峰,或者根本扫不到峰。仅有一个很强的主晶粒峰,只是取向有微小差异的,即有晶体缺陷的,可称为准单晶。否则,就是多晶,但多晶概念太广泛,有仅
    发布时间:2020-02-17   点击次数:104

  • ob欧宝娱乐网页:ob欧宝娱乐网页祝大家元旦快乐!

      元旦将至,新年初始,需活动拇指。多发短信至亲朋好友以通经脉暖气血,此乃利国民身心健康之大计也。在这个温馨幸福快乐美好的时刻,特别的祝福送给特别的你,祝元旦快乐,事事如意!丹东新东方祝新老客户元旦快乐!ob欧宝娱乐网页成立于19
    发布时间:2019-12-31   点击次数:177

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